Ученые из IBM создали компьютерную PCM-память с плотностью записи 3 бита на ячейку, что может сделать ее конкурентоспособной на рынке запоминающих устройств уже в ближайшее время.

Ячейки памяти изготовлены из особого материала, который может находиться в двух фазовых состояниях — аморфном и кристаллическом, переключаясь из одного в другое под действием электрического напряжения.

Каждое из состояний может соответствовать 0 или 1, записываемым в ячейку. Если таких состояний только два, то в каждую ячейку можно записать только один бит информации, что является низкой плотностью по сравнению, к примеру, с популярной в современных устройствах флеш-памятью.

Ученым из IBM удалось создать PCM-память с возможностью записи в ячейку до 8 различных состояний, что соответствует трем битам информации. Причем созданное учеными устройство показало работоспособность даже после миллиона циклов перезаписи, что существенно выше, чем у флеш-памяти, которая обладает ресурсом всего в 3 тысячи циклов.

При этом по скорости работы технология PCM значительно превосходит флеш-память и может сравниваться с форматом DRAM, который используется для изготовления оперативной памяти компьютеров и других электронных устройств. Однако, в отличие от DRAM, память PCM не требует постоянного электропитания для сохранения информации и существенно выгоднее в отношении плотности записываемой информации к стоимости устройства.

Таким образом, PCM-память может стать успешной заменой как "флешкам" и SSD-дискам, так и модулям оперативной памяти, которые устанавливаются в современные электронные устройства. Технология может найти широкое применение в области высоких технологий, которая в эпоху интернета вещей и мобильных гаджетов сталкивается с возрастающим объемом данных и хранимой информации.